中芯国际取得重要进展,成功研发出鳍式场效应晶体管(FET)的形成方法,并已获得专利授权。这一突破性的技术发明不仅为中芯国际带来了巨大的荣誉,同时也为全球半导体行业的发展做出了重要贡献。

2023-09-26 10:12:00 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

• 中芯国际发布多条专利信息,其中包括名称为“鳍式场效应晶体管的形成方法”的专利,公开号为CN111477548B,已经获得授权。 根据专利描述,本发明提供了一种半导体基板,在半导体基板上形成鳍状结构,鳍状结构包括一层或多层的牺牲层,鳍末端形成类似网格结构。此外,在形成覆盖鳍部侧面的第一侧壁和覆盖傀儡栅栏结构侧面的第二侧壁的同时,对假栅栏结构两侧的鳍部分进行蚀刻,形成露出牺牲层和第一侧壁的圆/漏槽。在蚀刻部分暴露在牺牲层中,在内部形成凹槽。此外,在内部凹主场和源/泄漏主场方面墙上形成隔离层,再酱/泄漏主场方面从墙上分离,消除隔离层内部已经形成了保存在主场,在多次反复,再隔离层形成过程的程序,以及消除隔离层内部凹进形成隔离层直到保留。多次工艺形成了内部隔离结构,有效地避免了源/漏槽的密封,容易形成源/漏,提高了晶体管的性能。 中芯国际表示,随着半导体元件的大小持续减少,半导体元件正在从现有的cmos元件向finfet效果晶体管(finfet)领域发展。随着物理大小越来越小,finfet就不能再使用了。gaa (gate-all-around)纳米钢丝晶体管目前正受到研究者的关注。这种环臼结构可以进一步增加通道载流子的移动速度,同时也可以进一步减少结构的体积。在形成环状结构时,纳米线先用牺牲层代替,最后去除牺牲层,再形成金属环状结构。在形成圆/漏槽后,为了形成内部槽,将部分牺牲层蚀刻,在内部凹槽中形成内部隔离结构。 目前,一旦形成内部隔离结构,源/漏水槽就容易堵塞,影响最终晶体管的性能。迫切需要形成不阻挡源头/漏水槽的鳍式场效应晶体管,并为此提出了专利。

  

• 中芯国际（证券代码：00981.HK/688981.SH）是世界领先的集成电路晶圆代工企业之一，也是中国大陆集成电路制造业领导者，拥有领先的工艺制造能力、产能优势、服务配套，向全球客户提供0.35微米到FinFET不同技术节点的晶圆代工与技术服务。中芯国际总部位于中国上海，拥有全球化的制造和服务基地，在上海、北京、天津、深圳建有三座8吋晶圆厂和三座12吋晶圆厂；在上海、北京、深圳、天津各有一座12吋晶圆厂在建中。中芯国际还在美国、欧洲、日本和中国台湾设立营销办事处、提供客户服务，同时在中国香港设立了代表处。Semiconductor Manufacturing International Corporation (SMIC，00981.HK/688981.SH) is one of the leading foundries in the world and is the front runner in manufacturing capability, manufacturing scale, and comprehensive service in the Chinese Mainland. SMIC Group provides semiconductor foundry and technology services to global customers on 0.35 micron to FinFET process node technologies. Headquartered in Shanghai, China, SMIC Group has an international manufacturing and service base, with three 8-inch wafer fabrication facilities (fabs) and three 12-inch fabs in Shanghai, Beijing, Tianjin and Shenzhen, and four 12-inch fabs under construction in Shanghai, Beijing, Shenzhen and Tianjin. SMIC Group also has marketing and customer service offices in the U.S., Europe, Japan, and Taiwan, China, and a representative office in Hong Kong, China.。

• 招聘范围主要集中在上海、北京、天津，主要招聘经验要求为5-10年，学历要求为本科的岗位。

• 公司参与中标1次，最近项目为：中关村芯海择优科技有限公司2023年第六批“自行组织”单一来源采购事前公示。